IRFR7540TRPBF vs IRFH5015TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR7540TRPBF por Infineon e IRFH5015TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR7540TRPBF IRFH5015TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,62
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A (limited by TJmax) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 140 W —
RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mΩ —
RDS(on) typical at 100µA VGS 3.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.7 V typical —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ max) —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) Surface Mount 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Temperatura de operação — -55C to +150C (TJ max)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação