IRFR9024NTRPBF vs IRF7342TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR9024NTRPBF por Infineon e IRF7342TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR9024NTRPBF IRF7342TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,17 $0,48
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Corrente de dreno pulsada [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) 8-SOIC (SO-8), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Status RoHS Compliant —
Part Number — IRF7342TRPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Configuration — Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (Tj)
Packaging — Tape and Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

Fichas técnicas e recursos

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