IRFR9024NTRPBF vs IRF7342TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR9024NTRPBF par Infineon et IRF7342TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR9024NTRPBF IRF7342TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,17 $0,48
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Courant de drain pulsé [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) 8-SOIC (SO-8), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Statut RoHS Compliant —
Part Number — IRF7342TRPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Configuration — Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C (Tj)
Packaging — Tape and Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

Fiches techniques et ressources

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