IRLL2705TRPBF vs BSL215CH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLL2705TRPBF por Infineon e BSL215CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IRLL2705TRPBF | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,22 | $0,21 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 deg C to +175 deg C | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulamento | SOT-223 | — |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| Temperatura de operação | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| Nível MSL | — | 1 (unlimited) |