IRLL2705TRPBF vs BSL215CH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRLL2705TRPBF 제조: Infineon 및 BSL215CH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRLL2705TRPBF | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.22 | $0.21 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 deg C to +175 deg C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | SOT-223 | — |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| 동작 온도 | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| MSL 레벨 | — | 1 (unlimited) |