IRLR2908TRPBF vs IRLR3114ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR2908TRPBF por Infineon e IRLR3114ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR2908TRPBF IRLR3114ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,46
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V 28 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V 22.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 120 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 130 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (typ)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 40 nC @ VGS=4.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
Número de pinos — 3 (2 + tab)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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