IRLR3114ZTRPBF vs IRL540NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3114ZTRPBF por Infineon e IRL540NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3114ZTRPBF IRL540NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,51
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) Logic-level
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V 49.3 nC
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) surface mount TO-263 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 (2 + tab) —
Status RoHS Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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