IRLR3114ZTRPBF vs IRL540NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3114ZTRPBF por Infineon y IRL540NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3114ZTRPBF IRL540NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,51
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) Logic-level
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V 49.3 nC
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) surface mount TO-263 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 (2 + tab) —
Estado RoHS Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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