IRLR3636TRLPBF vs IRLR2905TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLR3636TRLPBF por Infineon e IRLR2905TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLR3636TRLPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,74 | $0,61 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | Yes / Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | Yes |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +175C |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |