IRS2153DPBF vs IR2153PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2153DPBF por Infineon e IR2153PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2153DPBF IR2153PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida NRND Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,78 $0,45
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Topologia Self-Oscillating (RC-timed) Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator
Número de saídas 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
Temperatura de junção de operação -40C to +125C —
Encapsulamento 8-Pin PDIP (through-hole) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Nível MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
Status RoHS Compliant (Pb-free suffix) Pb-Free, RoHS compliant
Number of Drivers — 2 (high-side and low-side)
High-Side Voltage Rating — 600 V
VCC Zener Clamp — 15.6 V
Quiescent Current (Micropower Startup) — 500 uA
Rise Time (typ.) — 45 ns
Fall Time (typ.) — 80 ns
Undervoltage Lockout — Increased threshold (per datasheet)
Shutdown Feature — Yes (1/6 VCC on CT pin)
Deadtime Control — Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient
Temperatura de operação — -40C to +125C
Tipo de montagem — Through-Hole

Fichas técnicas e recursos

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