ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC009N06LM5ATMA1 por Infineon e ISC011N06LM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC009N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,86 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A 288 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55C to +175C
Encapsulamento PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Contagem de pinos — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fichas técnicas e recursos

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