ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC009N06LM5ATMA1 por Infineon y ISC011N06LM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC009N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,86 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A 288 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55C to +175C
Encapsulado PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Recuento de pines — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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