ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon e BSC340N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC011N04NM7VATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Encapsulamento PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +150C
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
Nível MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 92 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fichas técnicas e recursos

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