ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon e BSC028N06NSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC015N06NM5ATMA1 BSC028N06NSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
Status RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Series — OptiMOS 5
Part Number Base — BSC028N06NS
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Livre de halogênio — Yes
Nível MSL — 1
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

Fichas técnicas e recursos

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