ISC033N03LF2SATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC033N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ Ativo
Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC033N03LF2SATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,81 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS trench (<= 40V) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V 3.5 V
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Número de pinos — 8
Channel Mode — Enhancement
Temperatura de operação — -55 °C to +175 °C

Fichas técnicas e recursos

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