ISC088N08NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC088N08NM6ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC088N08NM6ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,78 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C | 12.1 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | 59 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 8.8 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 C | 71 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +175 C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| Status RoHS | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 6 | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |