ISC240P06LMATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC240P06LMATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC240P06LMATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,99 | $0,82 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -59 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 24 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 188 W | 2.3 W |
| Technology | OptiMOS trench | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per Infineon product page) | — |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |