ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISZ025N06NM6ATMA1 por Infineon e ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | ISZ025N06NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,02 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 137 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 22 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Número de pinos | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Temperatura de operação | — | -55 °C to +175 °C |