K3KL7L70EM-MGCU vs K3KL2L20DM-JGCT Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3KL7L70EM-MGCU por Samsung Electronics e K3KL2L20DM-JGCT por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K3KL7L70EM-MGCU | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $12,00 | $20,80 |
| Tipo de memória | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 12 Gbit | 48 Gb |
| Organização da memória | x32 | x64 |
| Encapsulamento | 315-ball FBGA | 441-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Product Status | Mass Production | Mass Production |
| Interface | LPDDR5X | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Supply Voltage (Core) | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| Taxa de dados | [DATA_NEEDED: data rate in Mbps/pin] | 7500 Mbps |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Refresh | Self-refresh supported (per LPDDR5X family) | — |
| Power Modes | Deep sleep, self refresh, power down (per LPDDR5X family) | — |
| Fab Location | Johor, Malaysia (listed by distributor) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |