K3KL7L70EM-MGCU vs K3KL2L20DM-JGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL7L70EM-MGCU par Samsung Electronics et K3KL2L20DM-JGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL7L70EM-MGCU | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $12,00 | $20,80 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 12 Gbit | 48 Gb |
| Organisation de la mémoire | x32 | x64 |
| Boîtier | 315-ball FBGA | 441-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Product Status | Mass Production | Mass Production |
| Interface | LPDDR5X | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Supply Voltage (Core) | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: data rate in Mbps/pin] | 7500 Mbps |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Refresh | Self-refresh supported (per LPDDR5X family) | — |
| Power Modes | Deep sleep, self refresh, power down (per LPDDR5X family) | — |
| Fab Location | Johor, Malaysia (listed by distributor) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |