K3KL8L80QM-MUCT vs K3LKBKB0BM-MGCP Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3KL8L80QM-MUCT por Samsung Electronics e K3LKBKB0BM-MGCP por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K3KL8L80QM-MUCT | K3LKBKB0BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $13,40 | $46,62 |
| Tipo de memória | LPDDR5X SDRAM | DRAM (LPDDR5 SDRAM) |
| Density | 32 Gb (4 GB) | — |
| Organização da memória | [DATA_NEEDED: organization (xN bit width)] | 1G x 32 |
| Taxa de dados | [DATA_NEEDED: data rate per pin (Gbps)] | 6400 Mbps per pin |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Speed Grade | QM (per Samsung part numbering) | — |
| Encapsulamento | FBGA (original package, 315-ball class) | FBGA-315 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Interface | LPDDR5X channel interface | LPDDR5 x32 |
| Series | LPDDR5X | — |
| Marca | Samsung Semiconductor | — |
| Packaging Suffix | MUCT | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Application Segment | Mobile / AI edge computing | Mobile, embedded, industrial computing |
| Tamanho da memória | — | 32 Gbit |
| Supply Voltage Rails | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology Generation | — | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) |
| Density per Package | — | 4 GB (32 Gbit) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) |
| Standby / Deep Sleep | — | LPDDR5 deep-sleep power states |
| Access Time / Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |