K3KL8L80QM-MUCT vs K3LKBKB0BM-MGCP 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KL8L80QM-MUCT 제조: Samsung Electronics 및 K3LKBKB0BM-MGCP 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KL8L80QM-MUCT | K3LKBKB0BM-MGCP |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $13.40 | $46.62 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | DRAM (LPDDR5 SDRAM) |
| Density | 32 Gb (4 GB) | — |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: organization (xN bit width)] | 1G x 32 |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: data rate per pin (Gbps)] | 6400 Mbps per pin |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Speed Grade | QM (per Samsung part numbering) | — |
| 패키지 | FBGA (original package, 315-ball class) | FBGA-315 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| 인터페이스 | LPDDR5X channel interface | LPDDR5 x32 |
| Series | LPDDR5X | — |
| 브랜드 | Samsung Semiconductor | — |
| Packaging Suffix | MUCT | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Application Segment | Mobile / AI edge computing | Mobile, embedded, industrial computing |
| 메모리 크기 | — | 32 Gbit |
| Supply Voltage Rails | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology Generation | — | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) |
| Density per Package | — | 4 GB (32 Gbit) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) |
| Standby / Deep Sleep | — | LPDDR5 deep-sleep power states |
| Access Time / Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |