K4A4G165WF-BCRC vs K4A4G165WD-BCRC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WF-BCRC por Samsung Electronics e K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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K4A4G165WF-BCRC K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics

K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics

K4A4G165WF-BCRC ✓ Ativo
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K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A4G165WF-BCRC K4A4G165WD-BCRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $17,08 $5,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Speed Grade DDR4-2400 —
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Encapsulamento FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
Die Type Samsung 4Gb F-die —
Bank / Bank Group Architecture 8 banks, bank groups —
Data Mask Supported (DM) —
CRC / CA Parity Supported —
ZQ Calibration Supported Yes
Dynamic ODT Supported —
Auto Precharge Supported Yes
Asynchronous Reset Supported —
Temperatura de operação 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Lead free / RoHS Compliant
Speed Bin — DDR4-2400 (BCRC)
Process Generation — Samsung D-die
Tipo de interface — DDR4 (double data rate, parallel)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes
CRC Function — Yes
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Fichas técnicas e recursos

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