K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BITD Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BITD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,20 | $3,80 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulamento | 78-pin FBGA | 78FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| Taxa de dados | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 2666 Mbps |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40°C to +95°C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| Número de pinos | — | 78 |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| Interface | — | Parallel |
| Lead-Free | — | Yes |