K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BITD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BITD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,20 | $3,80 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 78-pin FBGA | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 2666 Mbps |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40°C to +95°C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| Nombre de broches | — | 78 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| Interface | — | Parallel |
| Lead-Free | — | Yes |