K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics e K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $37,00 | $6,55 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +85C |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |