K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WC-BCPB por Samsung Electronics e K4A8G165WC-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,31 | $38,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Interface | DDR4 (16-bit data bus) | Differential (CK, /CK) |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +95C | — |
| Recursos | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |