K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G165WC-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,31 | $38,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Datenrate | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Schnittstelle | DDR4 (16-bit data bus) | Differential (CK, /CK) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | — |
| Eigenschaften | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |