K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WM-BCTD Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4AAG165WA-BCTD por Samsung Electronics e K4AAG165WM-BCTD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WM-BCTD
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $60,59 $62,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Taxa de dados 2666 Mbps —
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Interface Synchronous, DDR4 SSTL-12
Temperatura de operação 0C to +85C 0C to +85C
Encapsulamento 96-FBGA 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA solder reflow)
Memory Format Volatile (DRAM) —
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
Technology Family DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) —
Application Class Computing, embedded, consumer main memory —
Package Family FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount —
Temperature Grade Commercial (0C to +85C) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS (per LCSC listing)
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16 Gb
Organização da memória — 1G x 16
Speed — 2666 Mbps
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask — Yes

Fichas técnicas e recursos

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