K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WM-BCTD Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WA-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG165WM-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD ✓ Actif
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K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

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K4AAG165WM-BCTD ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WM-BCTD
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $60,59 $62,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Débit de données 2666 Mbps —
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Interface Synchronous, DDR4 SSTL-12
Température de fonctionnement 0C to +85C 0C to +85C
Boîtier 96-FBGA 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA solder reflow)
Memory Format Volatile (DRAM) —
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
Technology Family DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) —
Application Class Computing, embedded, consumer main memory —
Package Family FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount —
Temperature Grade Commercial (0C to +85C) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS (per LCSC listing)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16 Gb
Organisation de la mémoire — 1G x 16
Speed — 2666 Mbps
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask — Yes

Fiches techniques et ressources

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