K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WM-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WA-BCTD por Samsung Electronics y K4AAG165WM-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WA-BCTD | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $60,59 | $62,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Interfaz | Synchronous, DDR4 | SSTL-12 |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Encapsulado | 96-FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| Technology Family | DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) | — |
| Application Class | Computing, embedded, consumer main memory | — |
| Package Family | FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount | — |
| Temperature Grade | Commercial (0C to +85C) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS (per LCSC listing) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organización de memoria | — | 1G x 16 |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |