K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646D-BMK0 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCK00 por Samsung Electronics e K4B4G1646D-BMK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AtivoSamsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCK00 | K4B4G1646D-BMK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $5,90 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Taxa de dados | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96FBGA (TFBGA) |
| Temperatura de operação | 0°C to 95°C (Tcase) | -40°C to 95°C |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latência CAS | 11 (at 1600 Mbps) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Die Version | — | D-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Functions | — | 1 |