K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCMA0 por Samsung Electronics e K4B4G1646 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fim de vida
Samsung Electronics
K4B4G1646 K4B4G1646 - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96-FBGA | Samsung

K4B4G1646 - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96-FBGA | Samsung

K4B4G1646 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4B4G1646D-BCMA0 K4B4G1646
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Fim de vida Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,90 $11,96
Tipo de memória DDR3 SDRAM DDR3 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gb 4 Gbit
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Taxa de dados 1866 Mbps —
Tensão de alimentação 1.5 V 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V)
Temperatura de operação 0°C to 85°C 0C to +95C
Encapsulamento 96-FBGA 96-FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
RoHS Compliant —
Livre de halogênio Yes —
Lead Free Yes —
Status do ciclo de vida EOL —
Technology DDR3 —
Number of Terminals 96 —
Interface — Parallel
Max Data Rate — Up to 2133 Mbps (grade dependent)
Clock Frequency Range — 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent)
On-Chip Termination (ODT) — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Die Revisions — B-die, D-die, Q-die (DDR3L)
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação