K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BCMA0 от Samsung Electronics и K4B4G1646 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Снят с производства
Samsung Electronics
K4B4G1646 K4B4G1646 - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96-FBGA | Samsung

K4B4G1646 - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96-FBGA | Samsung

K4B4G1646 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4B4G1646D-BCMA0 K4B4G1646
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Снято с производства Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,90 $11,96
Тип памяти DDR3 SDRAM DDR3 SDRAM
Размер памяти 4 Gb 4 Gbit
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Скорость передачи данных 1866 Mbps —
Напряжение питания 1.5 V 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V)
Рабочая температура 0°C to 85°C 0C to +95C
Корпус 96-FBGA 96-FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
RoHS Compliant —
Без галогенов Yes —
Lead Free Yes —
Статус жизненного цикла EOL —
Technology DDR3 —
Number of Terminals 96 —
Интерфейс — Parallel
Max Data Rate — Up to 2133 Mbps (grade dependent)
Clock Frequency Range — 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent)
On-Chip Termination (ODT) — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Die Revisions — B-die, D-die, Q-die (DDR3L)
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену