K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BCMA0 von Samsung Electronics und K4B4G1646 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ AbgekündigtSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Ende des Lebenszyklus | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $11,96 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1866 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.5 V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0C to +95C |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Lebenszyklusstatus | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |