K4B4G1646I-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK0 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646I-BYK0 por Samsung Electronics e K4B4G1646E-BYK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646I-BYK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,75 | $1,80 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Temperatura de operação | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C (TC) |
| Interface | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |