K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH086VB-BIQK por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $4,25 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamanho da memória | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Taxa de dados | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps/pin |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Encapsulamento | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 82FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Status do ciclo de vida | Active | — |
| Status RoHS | unknown | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Organização da memória | — | 2G x 8 |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |