K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $4,25 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 82FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Statut RoHS | unknown | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 2G x 8 |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |