K9FGGY8J5A-CCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9FGGY8J5A-CCK0 por Samsung Electronics e K9IUGY8J7B-CCK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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K9FGGY8J5A-CCK0 K9FGGY8J5A-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory | SSD Storage

K9FGGY8J5A-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory | SSD Storage

K9FGGY8J5A-CCK0 ✓ Ativo
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K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K9FGGY8J5A-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria EEPROM EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,95 $1,00
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Family K9-series NAND Flash —
Tipo de memória NAND Flash (non-volatile) NAND Flash, 3D V-NAND TLC
Density [DATA_NEEDED: density] —
Organização da memória [DATA_NEEDED: organization (e.g. x8)] —
Cell Type [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC] TLC (3 bits per cell)
Interface [DATA_NEEDED: asynchronous/toggle/ONFI] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range] [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Erase Time (typ) [DATA_NEEDED: tBERS] —
Endurance [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
Encapsulamento [DATA_NEEDED: package type (FBGA)] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Status RoHS Compliant (CCK0 suffix denotes lead-free packing per Samsung ordering-code system) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Density — 1 Tb (Tera bit)
V-NAND Generation — V6 (6th generation)
Process Node / Layer Count — 4448-128L (128-layer)
Tipo de interface — [DATA_NEEDED: bus interface type]
Largura do barramento de dados — [DATA_NEEDED: data bus width]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: exact package code]

Fichas técnicas e recursos

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