K9IUGY8J7B-CCK0 vs K9KUGY8J7C-CCK0 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9IUGY8J7B-CCK0 por Samsung Electronics e K9KUGY8J7C-CCK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Ativo
Samsung Electronics
K9KUGY8J7C-CCK0 K9KUGY8J7C-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-CCK0 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K9IUGY8J7B-CCK0 K9KUGY8J7C-CCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria EEPROM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,00 $0,00
Memory Density 1 Tb (Tera bit) —
Tipo de memória NAND Flash, 3D V-NAND TLC NAND Flash
Cell Type TLC (3 bits per cell) TLC (Triple-Level Cell)
V-NAND Generation V6 (6th generation) —
Process Node / Layer Count 4448-128L (128-layer) —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Tipo de interface [DATA_NEEDED: bus interface type] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC voltage] —
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] —
Largura do barramento de dados [DATA_NEEDED: data bus width] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] [DATA_NEEDED: endurance rating]
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial grade (per -CCK0 suffix); exact range [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code] BGA
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Lead free / RoHS (per Samsung K9-family product pages)
Product Family — K9-Series V-NAND
Technology — Samsung V-NAND (3D NAND)
Density — [DATA_NEEDED: total device density]
Organização da memória — [DATA_NEEDED: page/block/plane organization]
Interface — [DATA_NEEDED: asynchronous/synchronous toggle interface mode]
Tensão de alimentação — [DATA_NEEDED: VCC supply voltage range]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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