M29F800FT55N3E2 vs M29W800FB70N3E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29F800FT55N3E2 por Micron Technology e M29W800FB70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29F800FT55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,98 | $0,95 |
| Tipo de memória | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Tensão de alimentação | 5 V | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Organização da memória | — | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Largura do barramento de dados | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| Contagem de pinos | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |