M29F800FT55N3E2 vs M29W800FB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F800FT55N3E2 제조: Micron Technology 및 M29W800FB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F800FT55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.98 | $0.95 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 5 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-TSOP I | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| 메모리 구성 | — | 512K x 16 / 1M x 8 |
| 데이터 버스 폭 | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| 핀 수 | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |