M29W064FT70N3E vs M29W128GH70N3E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W064FT70N3E por Micron Technology e M29W128GH70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W064FT70N3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memória | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit | — |
| Organização da memória | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Interface | Parallel, CFI compliant | Parallel (asynchronous) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensão de alimentação | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| Temperatura de operação | -40C to +85C | -40C to +125C |
| Encapsulamento | 48-TSOP | 56-TSOP |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | [DATA_NEEDED: endurance] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tamanho da memória | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit (byte/word selectable) |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |