M29W400FB55N3F vs M29W400FT55N3E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W400FB55N3F por Micron Technology e M29W400FT55N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W400FB55N3F | M29W400FT55N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,55 | $2,80 |
| Tipo de memória | NOR Flash | Flash - NOR Memory IC |
| Tamanho da memória | 4 Mbit | 4 Mbit |
| Organização da memória | 512K x8 / 256K x16 | — |
| Interface | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) |
| Program/Erase Supply | Single 2.7 V to 3.6 V | — |
| Byte/Word Select | BYTE# pin | — |
| Block Architecture | Boot block with hardware sector protection | — |
| Program Suspend/Erase Suspend | Supported | — |
| Encapsulamento | 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) | 48-TSOP I |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Lead-Free / RoHS | Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| Sector Size | — | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) |
| Boot Block Position | — | Top (FT suffix) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 48 |
| Package Code / Shape | — | TSSOP / Rectangular |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | — | 3 (168 Hours) |
| Peak Reflow Time | — | 30 s max |
| Companion Access-Time Grade | — | 55 ns and 70 ns versions available in family |