MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16JY-075E por Micron Technology e H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16JY-075E H5AN8G6NAFR-PBC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $30,50 $3,55
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Taxa de dados 2666 MT/s —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Interface Parallel —
Encapsulamento 96-FBGA (8x14) TFBGA-96 (rectangular)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação 0°C to +95°C (TC) —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
Status RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Recursos Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Density — 8 Gbit
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Tipo de interface — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
Refresh — Auto / Self Refresh
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Number of Terminals — 96
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Composition — CMOS

Fichas técnicas e recursos

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