MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-075E par Micron Technology et H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $30,50 | $3,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14) | TFBGA-96 (rectangular) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Caractéristiques | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| Type d'interface | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Composition | — | CMOS |