MT40A512M16TB-062E:J vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:J por Micron Technology e H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16TB-062E:J H5AN8G6NDJR-XNC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $55,68
Tipo de memória SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8Gbit (512M x 16) 8 Gb
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks each) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13.5 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Faixa de temperatura de operação 0°C to 95°C —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Tipo de montagem Surface Mount —
Memory Organization — 512M x16
Taxa de dados — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Fichas técnicas e recursos

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