MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63CFR-PBL Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology e H5TC4G63CFR-PBL por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,19 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V |
| Taxa de dados | 1600 MT/s | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Latência CAS | 11 | 11, 12, 13 |
| Encapsulamento | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Temperatura de operação | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | 8 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| Livre de halogênio | — | Yes |