NT5AD512M16A4-HR vs NT5AD512M16C4-JRI Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5AD512M16A4-HR por Nanya Technology e NT5AD512M16C4-JRI por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | NT5AD512M16A4-HR | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,10 | $75,58 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +95°C |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |