NT5AD512M16A4-HR vs NT5AD512M16C4-JRI Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16A4-HR por Nanya Technology y NT5AD512M16C4-JRI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16A4-HR | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $75,58 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulado | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |